惠普今天宣布将在2013年左右联合Hynix共同生产以忆阻器技术为基础的非易失性内存ReRAM产品，它带来了比闪存更为低功耗以及更高的性能。高级研究员R. Stanley Williams披露了这一消息，并称“数以百计的晶圆”已经诞生，最初版本将带来较慢的速度级别，可以取代手机上的闪存产品，之后还有更快的东西出现。

　　不过惠普也指出，三星也有一个更强大的忆阻器设计团队，因此公司的相关业务面临挑战。

　　2007年惠普公司资讯与量子系统实验室(Information and Quantum Systems Lab)的研究人员，在R. Stanley Williams的领导下，成功研制了固态的忆阻器－它是由一片双层的二氧化钛(bi-level titanium dioxide)薄膜所形成，当电流通过时，其电阻值就会改变。固态的忆阻器的制造需要涉及物料的纳米技术。这个忆阻器并不像其理论般涉及磁通量，或如电容器般储存电荷，而是以化学技术来达至电阻随电流历史改变的性质。

　　三星集团却有一项正申请专利的忆阻器，采用了类似惠普公司的技术。故此谁是忆阻器的创始人则有待澄清。

　　忆阻器（英语：memristor /ˈmɛmrɨstər/），又名记忆电阻（英语：memory resistors），是一种被动电子元件。忆阻器被认为是电路的第四种基本元件，仅次于电阻器、电容器及电感元件。

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