内存制造商、初创公司Crossbar本周宣布已经开发出所谓的“非常高容量以及高性能的非易失性内存”，基于一种电阻RAM技术的新方法，能够在单层200mm2的芯片上保存1TB数据！
Crossbar首席执行官George Minassian表示：“随着我们对Crossbar阵列的开发，我们已经实现了证明我们RRAM技术易于制造和商业化就绪的主要技术里程碑。这对于非易失性存储行业来说是一个分水岭。”
是否真的如此还有待观察，但是Crossbar RRAM技术的确要比纸面上来得好。Crossbar宣称，由于该技术“简单的三层结构，它可以堆栈成多个层，这样在一张邮票大小的芯片上，就可以有多TB的存储空间。”
性能也值得一提。与顶尖的NAND闪存相比，Crossbar宣称他们的技术写速度加快20倍，能耗降低20倍，耐用性提高10倍，而大小只是同类NAND的一半。
小芯片也能玩转TB级数据 Crossbar公布RRAM非易失性闪存
Crossbar宣称自己的技术相比NAND闪存有显著的优势
此外，Crossbar还表示，与NAND不同的是，自己的技术将很容易缩小到小于5纳米的节点，可以保存数据长达20年，而且比NAND的异步读速度更高。他们声称有425x XIP的改进，真的吗？
当然，如果Crossbar RRAM制造成本太高而不具有合理价位的话，以上所有这些华丽的数据都是没有意义的。Minassian和他的团队表示，他们正在关注这个问题，并且正在开发一款Crossbar内存阵列，已经在商业晶圆厂开始生产——不过他们并没有说这款展示的阵列采用何种工艺制程。
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下面是CMOS，上层是Crossbar RRAM
通过使用标准CMOS工艺技术，Crossbar称这将能够“容易地在微控制器和FPGA的其他逻辑组件上堆栈非易失性内存，在高级节点上高度集成SoC。”是的，他们的确计划将他们的技术许可提供给SoC设计者。
Crossbar创建于2010年，总部在美国加州圣克拉拉，已经获得了来自早期投资方Artiman、Kleiner Perkins Caufield & Byers以及Northern Light Venture Capital的2500万美元融资。
